На информационном ресурсе применяются рекомендательные технологии (информационные технологии предоставления информации на основе сбора, систематизации и анализа сведений, относящихся к предпочтениям пользователей сети "Интернет", находящихся на территории Российской Федерации)

Berg PRESS

563 подписчика

Intel расширила полупроводниковый завод в Орегоне — теперь туда влезет всё, что надо

Intel официально открыла Mod3 — дополнительные производственные мощности, которыми она расширила передовую исследовательскую фабрику D1X в штате Орегон. На их строительство ушло три года и было потрачено $3 млрд. На церемонии открытия было объявлено, что введённая в строй расширенная фабрика D1X-Mod3 приблизит Intel к занятию лидирующих позиций в области полупроводниковых технологий.

Чистые помещения, входящие в состав «пристройки» Mod3, имеют площадь 25 тыс. м2. Они увеличивают полную площадь чистых комнат построенной в 2010 году фабрики D1X примерно на 20 %. Сделанная модернизация позволит установить на фабрике новое производственное оборудование для освоения техпроцессов следующих поколений, которые впоследствии будут воспроизводиться на заводах по всему миру. Таким образом, Mod3 в первую очередь нужна для своевременного развёртывания техпроцессов Intel 20A и 18A, а также для работы над технологиями RibbonFET и PowerVia.

D1X вместе с новыми мощностями Mod3 станет флагманским предприятием Intel, которое будет нести ответственность за реализацию ключевой цели — освоение пяти норм техпроцессов за четыре года и завоевание к 2025 году технологического лидерства в полупроводниковой отрасли. Увеличение площади чистых комнат позволит установить на предприятии оборудование для производства чипов с применением EUV-литографии с высокой числовой апертурой, например, перспективной машины ASML TWINSCAN EXE:5200 — она имеет существенно увеличенные габариты и массу.

«С расширением нашего завода D1X производство в Орегоне имеет всё необходимое для освоения передовых технологий следующего поколения», — сказала Энн Келлехер (Ann Kelleher), исполнительный вице-президент и генеральный менеджер Intel по развитию технологий.

Также Intel присвоила своему технологическому парку в Хиллсборо имя Гордона Мура, легендарного инженера, который был одним из основателей Intel. А главное здание в кампусе, которое раньше именовалось RA4, теперь будет назваться Центром Гордона Мура.

«Орегон долгое время был главным центром исследований и разработок в области полупроводников, и я не могу придумать лучшего способа почтить наследие Гордона Мура, чем дать его имя кампусу, который, как и он, сыграл огромную роль в развитии нашей отрасли», — сказал на церемонии руководитель Intel, Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger). Сам Мур никогда не работал в Орегоне. Сейчас ему 93, и он живёт на Гавайях.

Тем не менее, по словам руководителей Intel, именно площадка в Орегоне отвечала за следование закону Мура и занималась разработкой передовых производственных процессов. Именно здесь разрабатывались транзисторы c диэлектриком с высокой диэлектрической постоянной и с металлическим затвором, трёхмерные транзисторы с напряжённым кремнием и прочее.

Ссылка на первоисточник

Картина дня

наверх